E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Toilleoir Scannán Ac na Síne Praghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – CRE

Toilleoir Scannán Ac na Síne ar Phraghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – Íomhá Réadmhaoin CRE
  • Toilleoir Scannán Ac na Síne Praghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – CRE
  • Toilleoir Scannán Ac na Síne Praghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – CRE
  • Toilleoir Scannán Ac na Síne Praghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – CRE
  • Toilleoir Scannán Ac na Síne Praghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – CRE

Cur Síos Achomair:


Íoslódáil mar PDF

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Físeán Gaolmhar

Aiseolas (2)

Coinníonn an corparáideach i dtreo choincheap na hoibríochta "riarachán eolaíoch, cáilíocht agus feidhmíocht den scoth, an cliant is fearr doToilleoir Nasc DC le haghaidh Tiontairí Tionsclaíocha , Toilleoirí Scagtha AC Ardfheidhmíochta , Toilleoir Scannán Féinleighis MiotalaitheCuirimid fáilte chroíúil roimh chliaint, cumainn fiontar agus cairde ó gach cearn den domhan labhairt linn agus comhoibriú a aimsiú ar mhaithe le buntáistí frithpháirteacha.
Toilleoir Scannán Ac na Síne ar Phraghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – CRE Sonraí:

Sonraí teicniúla

 

Raon teochta oibriúcháin Uasteocht oibriúcháin., Barr, uas: +105℃Teocht na catagóire uachtaraí: +85℃Teocht na catagóire íochtaraí: -40℃
raon toilleas 0.1μF～5.6μF
Voltas rátáilte 700V.DC～3000V.DC
Cap.tol ±5%(J); ±10%(K)
Seasamh le voltas 1.5Un DC/10S
Fachtóir díscaoilte tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Friotaíocht inslithe

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ag 20℃ 100V.DC 60S)

C > 0.33μF RS * C ≥5000S (ag 20 ℃ 100V.DC 60S)
Seasamh le sruth stailce

具体见规格表
Moilliú lasair

UL94V-0
Ionchas saoil

100000h(Un; Θ hotspot≤85°C)
Caighdeán tagartha

IEC61071;GB/T17702;

 

Voltas Gan 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
Trastomhas (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33

 

Voltas Gan 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
Trastomhas (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32

 

Voltas Gan 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32

 

Voltas Gan 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32

 

Voltas Gan 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32

 

Voltas Gan 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

Gné

1. Plaisteach, séalaithe le roisín;

2. Luaidhe ionchur copair stáin-phlátáilte, suiteáil éasca le haghaidh IGBT;

3. Friotaíocht in aghaidh ardvoltais, tgδ íseal, ardú teochta íseal;

4. ESL agus ESR íseal;

5. Sruth cuisle ard.

Trí úsáid a bhaint as tógálacha inmheánacha íseal-ionduchtais, cásanna roisín múnlaithe roghnacha, agus foirceannadh saincheaptha, tá Sraith SMJ-P deartha le haghaidh IGBTSanna a lascadh go tapa agus is féidir leo feidhmiú mar shnubairí agus mar scagairí ionchuir ardmhinicíochta ard-reatha.

Pictiúir sonraí táirge:

Toilleoir Scannán Ac na Síne ar Phraghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – pictiúir mhionsonraithe CRE

Toilleoir Scannán Ac na Síne ar Phraghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – pictiúir mhionsonraithe CRE

Toilleoir Scannán Ac na Síne ar Phraghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – pictiúir mhionsonraithe CRE

Toilleoir Scannán Ac na Síne ar Phraghas Mórdhíola - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – pictiúir mhionsonraithe CRE

Treoir Táirgí Gaolmhar:
Leanfaimid orainn ag feabhsú agus ag foirfeachtú ár n-earraí agus ár ndeisiúcháin. Ag an am céanna, déanaimid taighde agus dul chun cinn go gníomhach maidir le Toilleoir Scannán Ac Praghas Mórdhíola na Síne - Toilleoir Snubber IGBT scannáin mhiotalaithe – CRE, Soláthrófar an táirge do gach cearn den domhan, amhail: Páras, an Aetóip, Cósta Ríce, Mar gheall ar na treochtaí atá ag athrú sa réimse seo, bímid páirteach i dtrádáil táirgí le hiarrachtaí tiomanta agus le sármhaitheas bainistíochta. Coinnímid sceidil seachadta tráthúla, dearaí nuálacha, cáilíocht agus trédhearcacht dár gcustaiméirí. Is é ár sprioc táirgí ardchaighdeáin a sheachadadh laistigh den am sonraithe.
    • Thug foireann theicniúil an mhonarcha go leor comhairle mhaith dúinn sa phróiseas comhair, tá sé seo an-mhaith, táimid an-bhuíoch. 5 Réalta Le Hannah ó California - 2018.06.18 17:25
    Is féidir leis an monarcha freastal ar riachtanais eacnamaíocha agus margaidh atá ag forbairt i gcónaí, ionas go n-aithnítear agus go muinínítear a gcuid táirgí go forleathan, agus sin an fáth ar roghnaigh muid an chuideachta seo. 5 Réalta Le ROGER Rivkin ó Mhálta - 2018.07.26 16:51

    Seol do theachtaireacht chugainn:

    Scríobh do theachtaireacht anseo agus seol chugainn í

    Catagóirí táirgí

    Seol do theachtaireacht chugainn: