Toilleoir Scannán Ard-Reatha Snubber le haghaidh Meaisín Táthú (SMJ-TC)

Cur síos gairid:

Múnla Toilleora: SMJ-TC

Gnéithe:

1. Leictreoidí cnónna copair

2. Méid fisiciúil beag agus suiteáil éasca

3. Teicneolaíocht foirceannadh téip Mylar

4. Líonadh roisín tirim

5. Ionduchtú Sraith Choibhéis Íseal (ESL) agus Friotaíocht Sraithe Coibhéiseach (ESR)

Feidhmchláir:

1. GTO Snubber

2. Buaic-voltas agus Buaic-ionsú Reatha agus Cosaint maidir le Comhpháirt a Aistriú i dTrealamh Leictreonach

Tá ciorcaid snubber riachtanach do dhé-óidí a úsáidtear i gciorcaid lasctha.Is féidir leis dé-óid a shábháil ó spikes overvoltage, a d'fhéadfadh teacht chun cinn le linn an phróisis aisghabhála droim ar ais.

Seol ríomhphost chugainn Íoslódáil mar PDF

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Sonraí teicniúla

Raon teochta oibriúcháin	Teocht uasta.Oibriúcháin.,Barr,uas: + 85 ℃ Teocht an chatagóir Uachtair: +85 ℃ Teocht chatagóir níos ísle: -40 ℃
raon toilleas	0.22～ 3μF
Voltas rátáilte	3000V.DC = 10000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
Seasamh voltas	1.35Un DC/10S
Fachtóir diomailt	tgδ≤0.001 f=1KHz
Friotaíocht inslithe	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ag 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (ag 20 ℃ 100V.DC 60S)
Seasamh stailc reatha	féach bileoga sonraí
Ionchas saoil	100000h(Un; Θ hotspot ≤70°C)
Caighdeán tagartha	IEC 61071;

Gné

1. Téip Mylar, Séalaithe le roisín;

2. Cnó copar mar thoradh;

3. Friotaíocht in aghaidh ardvoltais, tgδ íseal, ardú teocht íseal;

4. ESL íseal agus ESR;

5. Ard Pulse Reatha.

Iarratas

1. GTO Snubber.

2. Úsáidtear go forleathan i dtrealamh leictreonach cumhachta nuair a bhíonn an buaicvoltais, buaic-chosaint ionsú reatha.

Ciorcad tipiciúil

Líníocht imlíne

Sonraíocht

Gan=3000V.DC
Cumas (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0. 33	43	44	52	25	1000	330	35
0. 47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Gan=6000V.DC
Cumas (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0. 33	52	60	72	25	1200	396	45
0. 47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Gan=7000V.DC
Cumas (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Gan=8000V.DC
Cumas(μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0. 33	35	90	102	30	1100	363	25
0. 47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Gan=10000V.DC
Cumas (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0. 33	45	114	123	35	1500	495	30
0. 47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70